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English

一、原材料 Semiconductor Raw Material:

純凈哈氏合金

化學(xué)成分Principal Component Ratio(mass%)

Material

Ni

Mo

Fe

Mn

C

Si

S

Cr

Ti

P

V

Co

W

UNS N10276

Rest

15.0-17.0

4.0-7.0

1.0

0.010

0.08

0.03

14.5-16.5

--

0.040

0.35

2.5

3.0-4.5

UNS N06022

Rest

12.5-14.5

2.0-6.0

0.5

0.015

0.08

0.02

20.0-22.5

--

0.020

0.35

2.5

2.5-3.5

UNS N06455

Rest

14.0-17.0

3.0

1.0

0.015

0.08

0.03

14.0-18.0

0.70

0.040

/

2.0

/










應(yīng)用領(lǐng)域:廣泛用于半導(dǎo)體產(chǎn)品制造,超高真空閥門裝置,過濾器外殼,核電、軍工等超腐蝕,超臨界環(huán)境等要求超凈性及超耐腐蝕性能。

技術(shù)重點:在素材的制造過程中采用VIM+VAR冶煉,降低非金屬夾雜和氣體成分。

( Key Technology: special smelting is used to reduce "non-metallic inclusion & gas composition "  in the production of materials .)

非金屬夾渣等級 Nonmetallic Inclusions:

鋼級

ASTM-D法(Worst Thin

             0.5                    1.0                   1.5                     2.0                   2.5       ()

HN22UNS N06022

HN276UNS N10276







執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn) Standards:  ASME SB - 622& SEMEI F20-0706E,

SEMI F19-0304,ASME BPE-2012

規(guī)格表 Size :

        

美標(biāo)規(guī)格ASTM

日表規(guī)格JIS

外徑(OD

壁厚(T

外徑(OD

壁厚(T

外徑(OD

壁厚(T

外徑(OD

壁厚(T

1/4”

0.89

6.35

0.89

8A

1.24

13.8

1.24

3/8”

0.89

9.53

0.89

10A

1.24

17.3

1.24

1/2”

0.89

12.7

0.89

15A

1.65

21.7

1.65

1/2”

1.24

12.7

1.24

20A

1.65

27.2

1.65

1/2”

1.65

12.7

1.65

25A

1.65

34

1.65

5/8”

1.65

15.88

1.65

32A

1.65

42.7

1.65

3/4”

1.65

19.05

1.65

40A

1.65

48.6

1.65

1”

1.65

25.4

1.65

50A

1.65

60.5

1.65

1.5”

1.65

38.1

1.65

備注:特殊規(guī)格可定制

(Remark : Special Products Can Be Customized)

2”

1.65

50.8

1.65


1、 BPE級EP管,原材料來自中鋼、寶鋼、太鋼,內(nèi)壁粗糙度:Ra≦0.25um,潔凈清洗,無塵潔凈室包裝,氮氣灌滿后每支兩頭戴管帽,套袋兩層包裝。(普通氣體管路使用)

2、HP級EP管,原材料進(jìn)口或者國內(nèi)真空冶煉,內(nèi)壁粗糙度:Ra≦0.2um,電解拋光后電解層Cr/Fe大于等于1.5,氧化層厚度大于等于1.5nm,CPT臨界點蝕溫度大于35℃,電阻率大于等于18兆歐的超純水清洗,無塵潔凈室包裝,氮氣灌滿后每支兩頭戴管帽,套袋兩層包裝。(特種氣體管路使用)